- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NXH160T120L2Q2F2S1G
NXH160T120L2Q2F2S1G
- 描述
- NXH160T120L2Q2F2SG 是一个功率集成模块 (PIM)，其包含一个分离式 T 型中性点箝位三电平逆变器，该逆变器包括两个带反向二极管的 160A/1200V 半桥 IGBT、两个中性点 120A/1200V 整流器、两个带反向二极管的 100A/650V 中性点 IGBT、两个半桥 60A / 650V 整流器和一个负温度系数热敏电阻 (NTC)。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NXH160T120L2Q2F2S1G
- 商品编号
- C5205723
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 181A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 543A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.53V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6uC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 38.8nF | |
| 输出电容(Coes) | 800pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 680pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 105ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 270ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.7mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.6mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 50ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |