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TPM60PB3S8
2个P沟道 耐压:60V 电流:3.8A
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- 描述
- 应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60PB3S8
- 商品编号
- C5197318
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 976pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
HP15N10将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于功率开关应用和LED背光。
商品特性
- 漏源电压 VDS = -60V,漏极电流 ID = -3.8A
- 当栅源电压 VGS=10V 时,漏源导通电阻 RDS(ON) < -98mΩ
- 当栅源电压 VGS = 4.5V 时,漏源导通电阻 RDS(ON) < -145mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换