- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NSG6002Q
NSG6002Q 650V单相高低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
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- 描述
- NSG6002Q为高低侧MOSFET/IGBT半桥驱动器，拉/灌电流0.6A/1.1A，推荐供电10V~20V，具备IN输入、SD关断、欠压锁定、540ns典型死区及内置自举二极管。高侧开通/关断延迟680ns/140ns，低侧150ns/130ns，均为典型值。DFN2X2-8封装。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG6002Q
- 商品编号
- C55098094
- 商品封装
- DFN-8(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中