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NSG20H60Q
250V六通道高侧栅极驱动芯片
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- 描述
- NSG20H60Q是一款250V六通道高侧栅极驱动芯片，集成六个独立的高侧驱动通道，可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT。器件采用外部自举二极管和电容为高侧驱动供电，兼容3.3V和5V输入逻辑，输入输出同相，具备±50V/ns的dVS/dt耐受能力与-9V的VS负压耐受能力。按推荐工作范围，供电电压为6V至20V，输出峰值拉/灌电流典型值为1.3A/2A，开通/关断延迟典型值为150ns/150ns，内置VCC/VBS欠压锁定，工作温度范围为-40℃至125℃。采用QFN28（5mm×5mm）封装，适用于电机控制、空调/洗衣机、通用逆变器及微型逆变器驱动等应用。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG20H60Q
- 商品编号
- C55098098
- 商品封装
- QFN-28(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0929克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1.3A | |
| 工作电压 | 6V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 1mA |