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G2022Q
250V 1.2A 单相高低侧功率 MOSFET/IGBT 驱动芯片
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- 描述
- G2022Q是一款250V高压半桥高低侧 MOS 驱动芯片，单芯片集成高低侧驱动，输入兼容 3.3V 逻辑电平，内置死区防直通、驱动输出电流大；高侧浮压最高 250V，DFN2×3-8 封装，工作温区 - 40℃~125℃。
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- G2022Q
- 商品编号
- C55098100
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.093661克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 40ns | |
| 传播延迟 tpLH | 150ns | |
| 传播延迟 tpHL | 140ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 190uA |