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MS05N350HGE0

Maspower MS05N350HGE0 超高压 N沟道MOSFET 3500V 0.5A 40Ω TO-263

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描述
MS05N350HGE0,3500V 0.5A 40Ω TO-263超高压 N沟道MOSFET。100% 雪崩、低栅电荷、高速,适用高压电源、光伏逆变。
商品型号
MS05N350HGE0
商品编号
C55042271
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
4.635克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)3.5kV
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))40Ω@10V
耗散功率(Pd)200W
阈值电压(Vgs(th))6.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8nC
输入电容(Ciss)230pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)17pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF