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MS11N80HCD0
Maspower MS11N80HCD0 超结N沟道MOSFET 800V 11A 0.58Ω TO-252
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- 描述
- 超级结N沟道MOSFET 800V 11A 0.52Ω TO-252，低栅电荷，超快开关，适用于PFC、开关电源、UPS、充电器等
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS11N80HCD0
- 商品编号
- C55042281
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.564克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 580mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |