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MS25N100HCT1实物图
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MS25N100HCT1

Maspower MS25N100HCT1 N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F 塑封

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描述
MS25N100HCT1,N沟道MOSFET 1000V 25A 0.26Ω TO-220F塑封。低Crss(典型3pF)、低栅电荷(Qg典型56nC),改进dv/dt,适用于高效开关电源、半桥电子镇流器、UPS。
商品型号
MS25N100HCT1
商品编号
C55042298
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.732克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))260mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)56nC
输入电容(Ciss)1.5nF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)160pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF