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MS1N400HGC0

Maspower MS1N400HGC0 高压N沟道MOSFET 4000V 1A TO-247

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描述
MS1N400HGC0,4000V 1A 19Ω 超高压 MOSFET,TO-247。雪崩、高速、高温,适用高压、脉冲、激光/X射线系统、工业。
商品型号
MS1N400HGC0
商品编号
C55042290
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
9.18克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)4kV
连续漏极电流(Id)1A
导通电阻(RDS(on))19Ω@10V
耗散功率(Pd)463W
阈值电压(Vgs(th))5.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)94nC
输入电容(Ciss)3.54nF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)210pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF