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MS10N100HGE0
Maspower MS10N100HGE0 N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263
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- 描述
- MS10N100HGE0，N沟道MOSFET 1000V 10A 1.45Ω TO-263。低 Rds、雪崩、高速、低损耗，适用高效开关电源、LED电源等。
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- MS10N100HGE0
- 商品编号
- C55042276
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.802克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 186.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 189pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |