嘉立创上市
购物车0
MS100P06JDE3实物图
  • MS100P06JDE3商品缩略图
  • MS100P06JDE3商品缩略图
  • MS100P06JDE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS100P06JDE3

Maspower MS100P06JDE3 P沟道MOSFET -60V -100A 7.5mΩ TO-263

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
描述
MS100P06JDE3 P沟道MOSFET -60V -100A 7.5mΩ TO-263。快速开关,低栅电荷,100%雪崩测试,适用于硬开关高频电路、不间断电源(UPS)。
商品型号
MS100P06JDE3
商品编号
C55042274
商品封装
TO-263​
包装方式
编带
商品毛重
2.81克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))7.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)125W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)141nC
输入电容(Ciss)8.54nF
反向传输电容(Crss)288pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)480pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF