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AOSP21321
1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOSP21321
- 商品编号
- C560863
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.218克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.18nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
- 最新先进沟槽技术
- 低 RDS(on)
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
- 笔记本电脑交流输入负载开关-电池保护充放电