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WSP6055实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSP6055

1个P沟道 耐压:55V 电流:6.8A

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描述
WSP6055是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSP6055符合RoHS和绿色产品要求,100%经过雪崩能量(EAS)测试保证,具备完整的功能可靠性认证。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSP6055
商品编号
C5185341
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)4.6nC@4.5V
输入电容(Ciss)531pF
反向传输电容(Crss)38pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)59pF

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%雪崩能量耐量(EAS)保证
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器

数据手册PDF