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AO4805
双P沟道增强型MOSFET 2个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- 适合电池管理系统、AC/DC转换及各类消费电子产品。集成双极性通道，提供优越的开关特性和低导通电阻，确保在正负电压下稳定工作，提升系统效能与节能表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4805
- 商品编号
- C5183840
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 216pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = 10 V时，典型RDS(on) = 0.82 mΩ
- 在VGS = 10 V时，典型Qg(tot) = 166 nC
- 通过AEC - Q101认证
- 符合RoHS标准