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DP8810
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@2.5V,5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 小型扁平封装（SO-8）
- 超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合无铅产品要求
应用领域
- 伺服电机控制
- 功率MOSFET栅极驱动器
- 其他开关应用
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