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AO6604实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO6604

耐压:20V 电流:2.8A

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描述
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
商品型号
AO6604
商品编号
C5182068
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.037克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A;2.8A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V;85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.14W
阈值电压(Vgs(th))1.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.9nC@10V
输入电容(Ciss)375pF@10V
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)90pF;90pF

商品概述

STD150NH02L采用了意法半导体(ST)专有的STripFET™技术的最新先进设计规则。这种新型的0.6μm工艺还采用了独特的金属化技术,并结合“无键合”组装技术,在标准DPAK外形封装下实现了出色的性能。因此,它非常适合用于高性能DC-DC转换器应用,可在极高输出电流下实现高效率。

商品特性

  • RDS(on) * Qg为行业基准
  • 降低传导损耗
  • 降低开关损耗
  • 低阈值器件
  • ClipPAK
  • IPAK

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF