温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
IRFB31N20DPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:40A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于适用于电源模块、电机驱动模块和充放电模块等领域。TO220；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRFB31N20DPBF-VB商品编号
C5179503商品封装
TO-220AB包装方式
管装
商品毛重
2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 60mΩ@10V,40A |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1管
1+￥10.14
10+￥8.85
50+￥7.22￥361
100+￥6.39￥319.5
500+￥6.01￥300.5
1000+￥5.85￥292.5
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
50
江苏仓
0
SMT仓
50
购买数量(50个/管，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个50个/管
近期成交2单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
优惠券
