温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP90T03GS-HF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:98A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N型场效应管，采用Trench工艺，适用于中高功率和中电流的应用场景。TO263；N—Channel沟道,30V；98A；RDS(ON)=2.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP90T03GS-HF-VB
- 商品编号
- C5179506
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 98A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V；2.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.065nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 针对高端同步整流器操作进行优化
- 100% Rq测试
- 100% UIS测试
应用领域
- 笔记本电脑CPU核心-高端开关