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2SK3018-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于低功率电路应用；列如信号开关模块、电池管理模块、传感器接口模块的一款产品。SOT23；N—Channel沟道,60V；0.25A；RDS(ON)=2800mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- 2SK3018-VB
- 商品编号
- C5179523
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 400pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品概述
NCE01P05S采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景，具备静电放电（ESD）保护功能。
商品特性
- 漏源电压VDS = -100V，漏极电流ID = -5A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 100 mΩ（典型值：85 mΩ）
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ（典型值：95 mΩ）
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠且耐用
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
应用领域
- 功率开关
- 直流-直流（DC/DC）转换器