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IRFH8311TRPBF-VB
1个N沟道 耐压:30V 电流:33A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFH8311TRPBF-VB
- 商品编号
- C5179509
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V,32A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.9nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专门针对低驱动电压的同步整流系统进行了优化。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
- PD充电器
- 电机驱动器
- 开关稳压器
- DC-DC转换器
- 开关模式电源