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CES2323-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- CES2323-VB
- 商品编号
- C5179511
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于驱动螺线管、驱动继电器和电源管理功能。
商品特性
- 额定温度达+175°C，适用于高环境温度环境
- 100%非箝位电感开关，确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低导通电阻RDS(ON)，最大限度降低导通损耗
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层，符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用；通过AEC-Q101认证，可提供PPAP文件，在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 驱动螺线管-驱动继电器-电源管理功能