温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TPM3134NX3
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM3134NX3
- 商品编号
- C558450
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@1.8V,0.35A | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
具有低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 可在低逻辑电平栅极驱动下工作
- 具备静电放电（ESD）保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口、逻辑开关
- 超便携电子产品的电池管理
相似推荐
其他推荐