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TPNTK3139PT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:0.85A
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- 描述
- 特性：无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTK3139PT1G
- 商品编号
- C558623
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 850mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 730mΩ@2.5V,0.45A | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 530pC | |
| 输入电容(Ciss) | 58pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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