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XR2P15M
P沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR2P15M
- 商品编号
- C54741578
- 商品封装
- DFN-6L(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 706pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
- 先进的沟槽MOS技术
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择
应用领域
- 负载开关
- 电源管理
- LED背光
- 网络应用