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XR40G20D
N沟道和P沟道快速开关MOSFET，低栅极电荷，适用于同步降压转换器
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR40G20D
- 商品编号
- C54741581
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V；30mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC；11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.004nF；980pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF；68.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 86.2pF；108pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
XR40G20D是高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 提供环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术