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XRS80N12

N沟道快速开关MOSFET,具备低栅极电荷、低导通电阻和低反向传输电容特性

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品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRS80N12
商品编号
C54741584
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.47696克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))12.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)50W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)27nC
属性参数值
输入电容(Ciss)2.225nF
反向传输电容(Crss)6pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)184pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和低导通电阻RDS(on)
  • 低反向传输电容

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 便携式设备
  • 电源管理

数据手册PDF