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XR20P15F
P沟道快速开关MOSFET，超低栅极电荷，具备出色的CdV/dt效应衰减，采用先进的高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR20P15F
- 商品编号
- C54741579
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17354克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 162.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
XR20P15F 是具有极高单元密度的高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。XR20P15F 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% 保证 EAS（耐雪崩能力），并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 100% 保证 EAS（耐雪崩能力）
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 先进的高单元密度沟槽技术