IPD26N06S2L-35-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:45A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N沟道场效应管,具有高效、稳定和可靠的特性,可满足不同应用的需求,适用于设计稳定可靠的电源供应模块、电动工具、电动车控制器、LED照明等领域。TO252;N—Channel沟道,60V;45A;RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPD26N06S2L-35-VB商品编号
C558140商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.386克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 45A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 25mΩ@10V,15A | |
功率(Pd) | 100W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 11nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.5nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 60pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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