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IRF9Z24NS-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型MOSFET器件，采用Trench技术，具有多种特性和应用领域，是一款功能强大且多用途的器件，可广泛应用于各种电子设备和系统中。TO263；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRF9Z24NS-VB
- 商品编号
- C558156
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.153克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 电源开关-大电流应用中的负载开关-DC/DC 转换器
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