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IRFL9110TRPBF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P通道沟道场效应管，采用Trench技术，适用于紧凑空间的应用。SOT223；P—Channel沟道,-100V；-3A；RDS(ON)=200mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFL9110TRPBF-VB
- 商品编号
- C558161
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 819pF@35V | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF@35V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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