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IRF540NSTRPBF-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，具有高性能和可靠性，采用Trench工艺制造，适合要求高效率和高功率的电源和驱动器应用。TO263；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF540NSTRPBF-VB商品编号
C558143商品封装
TO-263-2包装方式
管装
商品毛重
2.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 30mΩ@10V,45A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | - | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | - | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - |
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