IRF9530NPBF-VB
1个P沟道 耐压:100V 电流:18A
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描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单P型场效晶体管,采用Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于多种电源控制和开关应用。TO220;P—Channel沟道,-100V;-18A;RDS(ON)=167mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF9530NPBF-VB商品编号
C558155商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2.656克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | |
功率(Pd) | 1.1W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 67nC@20V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.46nF@20V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 280pF@20V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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