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FQD13N10LTM(UMW)
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 描述
- 这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FQD13N10LTM(UMW)
- 商品编号
- C5159779
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品概述
D-PAK 专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达 1.5 W。
商品特性
- 漏源电压（V） = 55 V
- 漏极电流 = 17 A（栅源电压 = 10 V）
- 导通电阻 = 75 mΩ（栅源电压 = 10 V）