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NTD20N06LT4G(UMW)
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS(V)=60V 。 ID = 12A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥式电路。 更严格的VSD规格。 更低的二极管反向恢复时间。 更低的反向恢复存储电荷。 更低的RDS(ON)。 更低的VDS(ON)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- NTD20N06LT4G(UMW)
- 商品编号
- C5159783
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.6nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 990pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 224pF |