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AOD2610E
1个N沟道 耐压:60V 电流:46A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极电荷。 低输出电容。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压（VDS）：60V。 连续漏极电流（ID）：46A（VGS = 10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：< 9.5mΩ（VGS = 10V）；< 13.3mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD2610E
- 商品编号
- C5159789
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 46A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V；10.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 59.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交14单
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