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IPD060N03LG(UMW)
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=30V。 ID = 50A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 6mΩ (VGS = 10V)。 Fast switching MOSFET for SMPS。 Optimized technology for DC/DC converters。 N-channel, logic level。 Very low on-resistance RDS(ON)。 Avalanche rated。 Pb-free plating
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IPD060N03LG(UMW)
- 商品编号
- C5159787
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |