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AOD4132
N沟道 耐压:30V 电流:85A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：85A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 4mΩ（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）< 6mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AOD4132
- 商品编号
- C5159785
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |