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CSD16556Q5B(ES)
N沟道,30V,180A,,1.15mΩ@10V,1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- N沟道,30V,180A,,1.15mΩ@10V,1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- CSD16556Q5B(ES)
- 商品编号
- C54533301
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1415克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.757nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD16556Q5B(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 CSD16556Q5B(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 30V，RDS(ON)=1.15mΩ（典型值），VGS=10V
- RDS(ON)=1.65mΩ（典型值），VGS=4.5V
- 使用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低导通电阻
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换
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