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ZXMP6A16K(ES)引脚图
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ZXMP6A16K(ES)

P沟道,-60V,-14A,80mΩ@-10V,-2.5A,-1.7V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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描述
P沟道,-60V,-14A,80mΩ@-10V,-2.5A,-1.7V@-250uA;应用领域:DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
品牌名称
ElecSuper(静芯)
商品型号
ZXMP6A16K(ES)
商品编号
C54533319
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)14A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@10V
耗散功率(Pd)36W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC
输入电容(Ciss)978pF
反向传输电容(Crss)39pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)51pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

ZXMP6A16K(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻(RDS(ON))。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 ZXMP6A16K(ES) 为无铅产品。

商品特性

  • 耐压 -60V,在栅源电压(VGS)为 -10V 时,导通电阻(RDS(ON))典型值为 80mΩ
  • 在栅源电压(VGS)为 -4.5V 时,导通电阻(RDS(ON))典型值为 100mΩ
  • 高密度单元设计,实现低导通电阻(RDS(on))
  • 材料:无卤
  • 可靠耐用
  • 雪崩额定
  • 低泄漏电流

应用领域

  • PWM 应用
  • 负载开关
  • 便携式/台式 PC 的电源管理
  • DC/DC 转换

数据手册PDF