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DMN2056U-7(ES)
N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- N沟道,20V,4.0A,,25.0mΩ@4.5V,0.75V@250uA；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMN2056U-7(ES)
- 商品编号
- C54533329
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 470pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
DMN2056U - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路。标准产品DMN2056U - 7(ES)为无铅产品。
商品特性
- 20V，RDS(ON)=25mΩ（典型值），VGS = 4.5V
- RDS(ON)=29mΩ（典型值），VGS = 2.5V
- 高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换
- T6061mm
- 02(RV) 2.5mm² YELLOW/GREEN 2M/ROLL
- SFH 7014H
- KR DELPS1.22-SGSI-34-C6J4-5-R18
- KW CWLNM4.TK-S5S9-4L15M1-2686-1A-S
- KW CELNM4.TK-S5S9-4L15M1-2686-1A-S
- LW MVSG-AYBZ-FK0PM0-Z486-20-R18-Z
- 50*70cm*3mm-6
- 160-1H
- A4-blue-hj
- 29cm-FJ
- ABE 203B 200A
- 22.7*22.7*15.5cm
- DC-24V-A
- 30W-270
- LC-LC-100M
- 125*107*45mm
- S1730S-L8P1T-A1
- HWC2520JR27
- HWC2520JR22
- HWC1005J1N0D