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BSS806NH6327(ES)
N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
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- 描述
- N沟道,20V,3.3A,45mΩ@4.5V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- BSS806NH6327(ES)
- 商品编号
- C54533325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032833克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.9mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品概述
BSS806NH6327(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 BSS806NH6327(ES) 为无铅产品。
商品特性
- 20V，RDS(ON) = 45mΩ（典型值），VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 62mΩ（典型值），VGS = 2.5V
- 高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(on)）
- 材料：无卤
- 可靠耐用
- ESD 保护
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换
- MGSF1N02LT1G(ES)
- SI2374DS-T1-GE3(ES)
- DMG3414U-7(ES)
- DMN2056U-7(ES)
- T6061mm
- 02(RV) 2.5mm² YELLOW/GREEN 2M/ROLL
- SFH 7014H
- KR DELPS1.22-SGSI-34-C6J4-5-R18
- KW CWLNM4.TK-S5S9-4L15M1-2686-1A-S
- KW CELNM4.TK-S5S9-4L15M1-2686-1A-S
- LW MVSG-AYBZ-FK0PM0-Z486-20-R18-Z
- 50*70cm*3mm-6
- 160-1H
- A4-blue-hj
- 29cm-FJ
- ABE 203B 200A
- 22.7*22.7*15.5cm
- DC-24V-A
- 30W-270
- LC-LC-100M
- 125*107*45mm