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IRF730PBF
1个N沟道 耐压:400V 电流:5.5A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。TO-220AB封装普遍适用于所有功率耗散水平约为50W的商业和工业应用。TO-220AB的低热阻和低封装成本使其在整个行业中得到广泛认可。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRF730PBF
- 商品编号
- C5156056
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 典型值：当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.2 mΩ
- 提供无铅环保器件
- 低导通电阻，将传导损耗降至最低
- 高雪崩电流
应用领域
- 电源
- DC-DC转换器