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KNY6610A
15A、100V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY6610A
- 商品编号
- C5156067
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.073nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 这款功率MOSFET采用KIA先进的平面条纹沟槽技术制造。
- 这项先进技术经过特别设计,可将传导损耗降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
- RDS(ON) = 83 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善了dv/dt能力
应用领域
- PWM应用
- 电源管理
- 负载开关