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KNY6610A
15A、100V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹沟槽技术生产。 导通电阻RDS(ON)典型值为83mΩ（VGS = 10V时）。 极低的导通电阻RDS(ON)。 低Crss。 快速开关。 100%雪崩测试。应用：PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KNY6610A
- 商品编号
- C5156067
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.073nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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