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KCY3406A
N沟道MOSFET
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- 描述
- 是N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用LVMOS技术制造。改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能。该器件广泛用于二次同步整流、逆变器系统的电源管理。
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KCY3406A
- 商品编号
- C5156065
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.065nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
KCX3406A是一款采用LVMOS技术制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能进行了优化。 该器件广泛应用于次级同步整流器、逆变器系统的电源管理。
商品特性
- 80A、60V，RDS(ON)（典型值）=8.5mΩ @ VGS = 10V
- SGT MOSFET
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 快速开关
- 改进的dv/dt能力
应用领域
- 次级同步整流器
- 逆变器系统的电源管理