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KND8606B
N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款功率 MOSFET 采用 KIA 先进的平面条形 DMOS 技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如 DC/DC 转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KND8606B
- 商品编号
- C5156062
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@48V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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