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NM2302B
耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 55mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 3.0A。 RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 2.0A。 快速开关能力。 雪崩能量测试。 改善的dv/dt能力，高耐用性。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- NM2302B
- 商品编号
- C5155289
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.61nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优良的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，低漏源导通电阻（RDS(ON)）（典型值5.6 mΩ）
- 低栅极电荷（典型值94 nC）
- 改善的dv/dt能力
- 经过100%雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器