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NM3400
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 30mΩ @ VGS = 10V, ID = 4A。 RDS(ON) ≤ 35mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 4A。 RDS(ON) ≤ 55mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 3A。 高速开关。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 沟槽功率低压MOSFET技术。 负载开关。 PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- NM3400
- 商品编号
- C5155290
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具备出色的雪崩特性。
商品特性
- 高耐用性
- 栅源电压为10 V时，漏源导通电阻低（典型值9.4mΩ）
- 栅极电荷低（典型值89nC）
- 改善的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器
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