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NM3400
耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 特性：RDS(ON) ≤ 30mΩ @ VGS = 10V, ID = 4A。 RDS(ON) ≤ 35mΩ @ VGS = 4.5V, ID = 4A。 RDS(ON) ≤ 55mΩ @ VGS = 2.5V, ID = 3A。 高速开关。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。 沟槽功率低压MOSFET技术。 负载开关。 PWM应用。 电源管理
- 品牌名称
- 晶导微电子
- 商品型号
- NM3400
- 商品编号
- C5155290
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 630pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具备出色的雪崩特性。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 4 A 条件下,RDS(ON) \leq 30 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 4 A 条件下,RDS(ON) \leq 35 m Ω
- 在 VGS = 2.5 V、ID = 3 A 条件下,RDS(ON) \leq 55 m Ω
- 高速开关
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理
应用领域
-同步整流-锂电池保护板-逆变器
- PM3401A
- 2SC1623
- TK31A60W,S4VX
- TLP197A(TP,F)
- TPD4123K(C,Q)
- 74LCX32FT
- TD62083AFNG(O,N,EL)
- TLP290-4(GB,E)
- TC74VHC4066AFK(E,K)
- TB62747AFG(O,EL)
- TLP2391
- S32K314EHT1VPBST
- ZHG010 10CC
- TF2366M-TGH
- HYG027N04LR1D
- G5S12015PM TO-247AC 150mm
- SUD50P08-25L-E3
- RVE470UF35V167RV084
- RVT330UF50V167RV085
- FZ100UF16V90RV0140
- LZ330UF35V90RV0141