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DF2S5M4CT,L3F
TVS 3.6V截止 峰值浪涌电流：2A@8/20us
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- 描述
- DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S5M4CT,L3F
- 商品编号
- C556302
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010912克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.6V | |
| 钳位电压 | 8V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 2A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 30W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 4.3V | |
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 0.35pF |
商品概述
DF2S5M4CT是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，防止静电和噪声干扰。 DF2S5M4CT利用回滞特性，具备低动态电阻和卓越的保护性能。 此外，其低电容特性使其非常适合高速信号应用。DF2S5M4CT采用超紧凑型封装（1.0 mm×0.6 mm），适用于对占用空间要求较小的应用场景。
商品特性
- 适用于3.3 V信号线。（VRWM ≤ 3.6 V）
- 凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ±20 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.3 Ω（典型值））
- 回滞特性实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 8 V @IPP = 2 A（典型值））
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。尺寸为1.0 mm×0.6 mm（昵称：CST2）
应用领域
- 移动设备：智能手机、平板电脑、笔记本电脑
- 台式电脑