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TK32A12N1,S4X
1个N沟道 耐压:120V 电流:32A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK32A12N1,S4X
- 商品编号
- C556304
- 商品封装
- TO-220FP-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.79克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.8mΩ@10V,16A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@60V |
商品概述
采用TrenchMOS技术、LFPAK56（Power SO8）封装的逻辑电平N沟道MOSFET。本产品经设计和认证，适用于各种电源和电机控制设备。
商品特性
- 先进的TrenchMOS提供低漏源导通电阻（RDSon）和低栅极电荷
- 逻辑电平栅极操作
- 雪崩额定，100%测试
- LFPAK在Power SO8封装中提供最大的功率密度
应用领域
- 电源设备中的同步整流
- 输出电压（Vout）< 10 V的充电器和适配器
- 快速充电和USB-PD应用
- 电池供电的电机控制
- LED照明和电视背光