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TK72E12N1,S1X
1个N沟道 耐压:120V 电流:72A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 120 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK72E12N1,S1X
- 商品编号
- C556306
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.4mΩ@10V,36A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 255W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.1nF@60V | |
| 反向传输电容(Crss) | - |